Le scénario
Conception d’un étage onduleur en pont complet SiC MOSFET pour un émetteur de transfert d’énergie inductif à 85 kHz, avec références de commande de grille et réservoir résonant série.
Ce que contient ce dessin
Comprenez les décisions qui le sous-tendent.
01
Utiliser quatre SiC MOSFET à canal n en topologie en pont en H avec un condensateur de bus DC
02
Régler le réservoir résonant LC série près de 85 kHz (35uH + 100nF)
03
Référencer les sources de commande de grille à la source de chaque MOSFET pour le bootstrap côté haut et le retour à la masse côté bas
À réutiliser pour les schémas d’étages de puissance d’émetteurs WPT, les onduleurs résonants et les circuits en pont en H haute fréquence.